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參數(shù)資料
| 型號： | JANSR2N7262 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | JANSR2N7262 |
IRHF7230, IRHF8230,JANSR-,JANSH-,2N7262 Devices
www.irf.com
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Radiation Characterstics
Fig 16.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 17.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads (Si)
Fig 14.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 15.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 0 Vdc, V
DS
= 160 Vdc
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PDF描述 |
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