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參數(shù)資料
| 型號： | JANSR2N7262 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | JANSR2N7262 |
IRHF7230, IRHF8230,JANSR-,JANSH-,2N7262 Devices
4
www.irf.com
Post-Irradiation
Fig 2.
Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 1.
Typical Response of Gate Threshhold
Voltage Vs. Total Dose Exposure
Fig 3.
Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 4.
Typical Response of Drain to Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure
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PDF描述 |
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