參數(shù)資料
型號： IXTY5N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 5 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 102K
代理商： IXTY5N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
Fig. 11. Capacitance
1
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
Q
G
- nanoCoulombs
6
8
10
12
14
V
G
V
DS
= 250V
I
D
= 2.5A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
1
2
3
4
5
6
7
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
3
6
9
12
15
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
0.1
1
10
100
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP5N50P PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTA5N50P PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXUC100N055 Trench Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓55V,導(dǎo)通電阻7.7mΩ的N溝道增強型功率MOSFET)
IXUC120N10 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
IXUC160N075 Trench Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IXUC100N055 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXUC120N10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220
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