| 型號: | IXTY5N50P | 
| 廠商: | IXYS CORP | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode | 
| 中文描述: | 5 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 
| 封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 | 
| 文件頁數(shù): | 3/5頁 | 
| 文件大?。?/td> | 102K | 
| 代理商: | IXTY5N50P | 

| 相關PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| IXTP5N50P | PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode | 
| IXTA5N50P | PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode | 
| IXUC100N055 | Trench Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓55V,導通電阻7.7mΩ的N溝道增強型功率MOSFET) | 
| IXUC120N10 | Trench Power MOSFET ISOPLUS220 | 
| IXUC160N075 | Trench Power MOSFET | 
| 相關代理商/技術參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: | 
| IXTZ550N055T2 | 功能描述:MOSFET 550Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXUC120N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |