參數(shù)資料
型號： IXTQ82N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 82 A, 250 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 610K
代理商： IXTQ82N25P
2004 IXYS All rights reserved
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IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
相關PDF資料
PDF描述
IXTT8P50 Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTU01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N80 High Voltage MOSFET
IXTY01N80 High Voltage MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ86N20T 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ88N15 功能描述:MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ90N15T 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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