參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP05N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 0.75 A, 1000 V, 17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 543K
代理商： IXTP05N100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA 05N100
IXTP 05N100
Fig. 11. Capacitance
1
10
100
1000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
Q
G
- nanoCoulombs
4
5
6
7
8
9
10
11
V
G
V
DS
= 500V
I
D
= 1A
I
G
= 1mA
Fig. 7. Input Admittance
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
3.5
4.0
4.5
V
G S
- Volts
5.0
5.5
6.0
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.2
0.4
I
D
- Amperes
0.6
0.8
1.0
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.4
0.5
0.6
V
S D
- Volts
0.7
0.8
0.9
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
-
o
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IXTP08N100P 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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