參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP05N100
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 0.75 A, 1000 V, 17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 543K
代理商： IXTP05N100
IXTA 05N100
IXTP 05N100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
5
10
15
20
25
30
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5.5V
5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
5
10
15
20
25
30
V
D S
- Volts
I
D
4.5V
5V
5.5V
V
GS
= 10V
7V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5.5V
5V
4.5V
Fig. 4. Normalized R
DS(on
)
vs.
Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 750mA
I
D
= 375mA
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. Normalized R
DS(on)
vs. I
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
0.0
0.2
0.4
0.6
I
D
- Amperes
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
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PDF描述
IXTP10N60PM PolarHV Power MOSFET
IXTP2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTY2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTQ140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
IXTT140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IXTP05N100P 功能描述:MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXTP08N100P 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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