參數(shù)資料
型號(hào)： IXTK82N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 82 A, 250 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 610K
代理商： IXTK82N25P
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
2
4
6
8
V
DS
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
1
2
3
V
DS
- Volts
4
5
6
7
8
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
5V
6V
7V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
0.5
1
1.5
V
DS
- Volts
2
2.5
3
3.5
4
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to I
D25
Value
vs. Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 82A
I
D
= 41A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ82N25P PolarHT Power MOSFET
IXTT8P50 Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTU01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N80 High Voltage MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK90N15 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK90P20P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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