參數(shù)資料
型號(hào)： IXSX35N120AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： IXSX35N120AU1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXSX 35N120AU1
di
F
/dt - A/μs
200
400
600
800
1000
I
R
0
20
40
60
80
T
J
- Degrees C
0
40
80
120
160
N
R
/
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
di
F
/dt - A/μs
0
200
400
600
800
1000
t
r
m
s
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
di
F
/dt - A/μs
10
100
1000
Q
r
m
0
2
4
6
8
10
12
Q
r
I
RM
di
F
/dt - A/μs
0
200
400
600
800
1000
t
f
0
200
400
600
800
1000
1200
V
F
0
10
20
30
40
50
60
V
FR
Voltage Drop - Volts
0
1
2
3
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
T
J
= 100
°
C
V
R
= 540V
T
J
= 125
°
C
I
F
= 60A
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
V
R
= 540V
T
J
= 100
°
C
V
R
= 540V
t
fr
typ.
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
max.
I
F
= 60A
max.
I
F
= 60A
typ.
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
max.
I
F
= 60A
typ.
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
Fig.14 Junction Temperature Dependence
off I
RM
and Q
r
Fig.15 Reverse Recovery Chargee
Fig.16 Peak Reverse Recovery Current
Fig.17 Reverse Recovery Time
Fig.12 Maximum Forward Voltage Drop
Fig.13 Peak Forward Voltage V
FR
and
Forward Recovery Time t
FR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSX50N60AU1 IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60AU1S IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻15Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
IXTA110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTP110N055P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSX35N120AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD
IXSX35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX40N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60AU1 功能描述:IGBT 75A 600V PLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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