參數(shù)資料
型號： IXSX35N120AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： IXSX35N120AU1
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXSX 35N120AU1
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
I
C
0
10
20
30
40
50
V
CE
= 10V
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
V
GE
=15V
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
50
100
150
200
250
T
J
= 25
°
C
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
T
J
= 25
°
C
V
GE
=15V
11V
7V
9V
V
GE(th)
I
C
= 4mA
13V
V
GE
= 15V
I
C
= 17.5A
I
C
= 35A
I
C
= 70A
T
J
= - 40C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
C
=1 7.5A
I
C
= 35A
I
C
= 70A
Fig.3
Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig.5
Input Admittance
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1 Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSX50N60AU1 IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60AU1S IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻15Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET)
IXTA110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTP110N055P PolarHT Power MOSFET
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參數(shù)描述
IXSX35N120AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD
IXSX35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX40N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60AU1 功能描述:IGBT 75A 600V PLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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