參數(shù)資料
型號： IXSH25N100A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： IXSH25N100A
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS Corporation. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH25N100 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.5V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSM25N100 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM25N100A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH25N120AU1 IGBT with Diode
IXSH25N120A IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH25N120A 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH25N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 200V50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH30N60A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH30N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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