參數(shù)資料
型號： IXSH25N100A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場效應管)
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： IXSH25N100A
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS Corporation. All rights reserved.
IXSH 25N100
IXSH 25N100A IXSM 25N100A
IXSM 25N100
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
= 25°C
11V
7V
9V
13V
V
GE
= 15V
V
GE
=15V
T
J
= 25°C
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 10V
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE(th)
I
C
= 2.5mA
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4
Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2
Output Characterstics
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PDF描述
IXSH25N100 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.5V的高速絕緣柵雙極場效應管)
IXSM25N100 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM25N100A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH25N120AU1 IGBT with Diode
IXSH25N120A IGBT
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