參數(shù)資料
型號(hào)： IXKF40N60SCD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CONN 60POS .1X.1 IDC RIBBON PCB
中文描述： 38 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS, I4PAC-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 34K
代理商： IXKF40N60SCD1
2002 IXYS All rights reserved
2 - 2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
T
VJ
T
stg
-40...+150
-40...+125
°
C
°
C
F
C
mounting force with clip
20 ... 120
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
C
p
coupling capacity between shorted pins
and mounting tab in the case
40
pF
d
S
, d
A
d
S
, d
A
D pin - S pin
pin - backside metal
7
mm
mm
5.5
Weight
9
g
Series Schottky Diode D
S
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
I
F90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
60
40
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 20 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
0.9
V
V
0.7
R
thJC
R
thJH
2 K/W
K/W
with heat transfer paste
2.9
Anti Parallel Diode D
F
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
I
F90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
32
16
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 20 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
2.1
1.4
2.5
V
V
I
RM
t
rr
I
F
= 30 A;
di
F
/dt = -500 A/μs; T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
15
70
A
ns
R
thJC
R
thJH
1.3 K/W
K/W
with heat transfer paste
2.6
IXKF 40N60SCD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXKG25N80C CoolMOS Power MOSFET ISO264
IXKN40N60 CoolMOS Power MOSFET
IXKN40N60C CoolMOS Power MOSFET
IXKN45N80C CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60 CoolMOS Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXKG25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH30N60C5 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH35N60C5 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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