參數(shù)資料
型號： IXGT32N170
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 585K
代理商： IXGT32N170
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505
IXGH 32N170
IXGT 32N170
Fig. 7. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
16
32
48
64
80
96
I
C
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 11. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
30
60
90
120
150
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
CE
= 850V
I
C
= 32A
I
G
= 10mA
Fig. 12. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 8. Dependence of E
off
on R
G
11
13
15
17
19
21
23
25
0
10
20
30
40
50
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 16A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 1020V
I
C
= 32A
I
C
= 64A
Fig. 9. Dependence of E
off
on I
c
8
10
12
14
16
18
20
22
16
24
32
40
48
56
64
I
C
- Amperes
E
o
R
G
= 3
R
G
= 15
- - - - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 1020V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Dependence of E
off
on
Temperature
8
10
12
14
16
18
20
22
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 64A
V
GE
= 15V
V
CE
= 1020V
R
G
= 3
R
G
= 15
- - - - -
I
C
= 32A
I
C
= 16A
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PDF描述
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