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參數(shù)資料
| 型號： | IXGT32N170 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage IGBT |
| 中文描述： | 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IXGT32N170 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-247 AD Outline
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
22
30
S
I
C(ON)
V
GE
= 10V, V
CE
= 10V
120
A
C
ies
C
oes
C
res
3500
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
165
pF
40
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
155
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
nC
51
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
45
ns
38
ns
270
500
ns
250
500
ns
11
20
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
48
ns
42
ns
6.0
mJ
360
ns
560
ns
E
off
14
mJ
R
thJC
0.35 K/W
R
thCK
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.6 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.6 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Min Recommended Footprint
IXGH 32N170
IXGT 32N170
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.752
.106
.055
L2
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
1.00
1.15
.039
.045
.150
.161
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH32N50BU1 | HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack |
| IXGH32N50BU1S | HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack |
| IXGH32N50B | HiPerFAST IGBT |
| IXGH32N50BS | HiPerFAST IGBT |
| IXGH32N60AU1 | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.9V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGT32N170 T&R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT NPT 1700V 75A TO-268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 1700V 75A 350W TO268 |
| IXGT32N170 T&R | 功能描述:IGBT NPT 1700V 75A TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGT32N170A | 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT32N60B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGT32N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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