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參數(shù)資料
| 型號： | IXGR60N60C2D1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | IXGR60N60C2D1 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
R
thJ-DCB
R
thJC
R
thCS
(Note 2)
(Note 3)
0.25
K/W
0.50 K/W
0.15
K/W
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g
fs
I
Note 1
= 50 A; V
CE
= 10 V,
40
55
S
C
ies
C
oes
3900
280
320
pF
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
60N60C2
60N60C2D1
C
res
97
Q
g
Q
ge
Q
gc
140
28
35
nC
nC
nC
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
18
25
95
35
ns
ns
ns
ns
mJ
150
0.49
0.8
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
18
25
1.6
130
80
0.92
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
Inductive load, T
J
= 25°C
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V, R
G
= R
off
= 2.0
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V, R
G
= R
off
= 2.0
Note 1: Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
2: R
thJ-DCB
is the thermal resistance junction-to-internal side of DCB substrate
3: R
thJC
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
ISOPLUS 247 Outline
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= 60 A, V
GE
= 0 V,
Note 1
2.0
1.39
V
T
J
= 150°C
I
RM
I
F
= 60 A, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
T
J
= 100°C
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
8.3
A
t
rr
35
ns
R
thJC
0.85 K/W
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGR60N60U1 | LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface) |
| IXGT16N170A | High Voltage IGBT |
| IXGH14N170A | High Voltage IGBT |
| IXGT28N30 | HiPerFAST IGBT |
| IXGX40N60BD1 | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGR60N60C2G1 | 功能描述:IGBT 75A 600V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGR60N60C3C1 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR60N60C3D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR60N60U1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR64N60A3 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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