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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGR60N60C2 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 612K |
| 代理商： | IXGR60N60C2 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
Fig. 12. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
CE
- Volts
C
Cies
Coes
Cres
f = 1MHz
Fig. 11. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
20
40
Q
G
- nanoCoulombs
60
80
100
120
140
V
G
V
C E
= 300V
I
C
= 50A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
25
50
75
I
C
- Amperes
100
125
150
175
200
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 8. Dependence of E
off
on R
G
0
1
2
3
4
5
6
2
4
6
8
10
12
14
16
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 75A
I
C
= 25A
T
J
= 125
o
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 100A
Fig. 9. Dependence of E
off
on I
c
0
1
2
3
4
5
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
E
o
R
G
= 3
.
R
G
= 10
- - - - -
T
J
= 125
o
C
V
G E
= 15V
V
C E
= 400V
T
J
= 25
o
C
Fig. 10. Dependence of E
off
on Temperature
0
1
2
3
4
5
25
50
T
J
- Degrees Centigrade
75
100
125
E
o
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
G E
= 15V
V
C E
= 400V
R
G
= 3
R
G
= 10
- - - - -
I
C
= 75A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGR60N60C2D1 | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
| IXGR60N60U1 | LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface) |
| IXGT16N170A | High Voltage IGBT |
| IXGH14N170A | High Voltage IGBT |
| IXGT28N30 | HiPerFAST IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IXGR60N60C3C1 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR60N60C3D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR60N60U1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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