參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP12N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 97K
代理商： IXGP12N60U1
1996 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
C
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
= 25°C
V
GE
=15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
- Volts
5
6
7
8
9
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
13V
11V
9V
7V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 5A
I
C
= 10A
I
C
= 20A
I
C
= 20A
I
C
= 10A
I
C
= 5A
V
GE
= 15V
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
T
J
=
125°C
T
J
= 25°C
V
GE(th)
I
C
= 250μA
BV
CES
I
C
= 250μA
G
N
JNB
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4
Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2
Output Characterstics
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6
Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
V
CE
= 10 V
IXGP12N60U1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXKC13N80C CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
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IXSP15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
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IXGP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP15N120C 功能描述:IGBT 30A 1200V TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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