參數(shù)資料
型號： IXGP12N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： IXGP12N60U1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGP12N60U1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
4
8
S
C
ies
C
oes
C
res
750
125
30
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
50
15
25
70
25
45
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
100
200
500
300
1.2
ns
ns
ns
ns
mJ
700
500
2.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
100
200
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
1
600
400
800
700
2
R
thJC
R
thCK
1.25 K/W
0.25
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.75
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 64 A/
μ
s
V
R
= 360 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 50 A/
μ
s; V
R
= 30 V T
J
= 25
°
C
2.5
150
35
A
ns
ns
T
J
=100
°
C
50
R
thJC
2.5 K/W
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.23
9.66
3.54
5.85
2.29
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
0.64
0.51
2.04
Inches
Min.
0.500
0.560
0.380
0.139
0.230
0.090
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.025
0.020
0.080
Max.
14.93
16.50
10.66
4.08
6.85
2.79
1.77
6.35
0.89
BSC
4.82
1.39
0.76
2.49
Max.
0.580
0.650
0.420
0.161
0.270
0.110
0.070
0.250
0.035
BSC
0.190
0.055
0.030
0.115
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
TO-220 AB Outline
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 150
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 150
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
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PDF描述
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