| 型號: | IXSP15N120B |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | S Series - Improved SCSOA Capability |
| 中文描述: | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商: | IXSP15N120B |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA2N80 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻6.2Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET) |
| IXTA36N30P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTP36N30P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ36N30P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTC75N10 | N-Channel Enhancement Mode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSP16N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSP20N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSP24N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSP2N100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB |
| IXSP2N100A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB |