參數(shù)資料
型號： IXGN200N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： IXGN200N60B
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
g
fs
I
C
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= 60 A; V
CE
= 10 V,
50
75
S
C
ies
C
oes
C
res
11000
680
190
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
350
72
131
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
60
45
2.4
200
160
5.5
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
360
280
9.6
t
ri
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
ri
E
off
60
60
4.8
290
250
8.7
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.21 K/W
0.05
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= 100A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.4
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
=100A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.4
Remarks: Switching times
may increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGN 200N60B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關PDF資料
PDF描述
IXGN50N60BD2 HiPerFAST IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶快速恢復外延型二極管))
IXGN50N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGN60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGN80N30BD1 IGBT with Diode(VCES為300V，VCE(sat)為2.4V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGP30N60C2 HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60B3 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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