參數(shù)資料
型號(hào)： IXGN50N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： IXGN50N60B
1 - 4
2000 IXYS All rights reserved
HiPerFAST
TM
IGBT
IXGN 50N60B
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 2.5 V
= 600 V
= 75 A
97531A (7/00)
E
G
E
x
E
x
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
x
Either emitter terminal can be used
as Main or Kelvin Emitter
SOT-227B miniBLOC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 10
Clamped inductive load, L = 30 H
75
50
A
A
A
200
I
= 100
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
T
C
= 25 C
250
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13
1.5/13
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
Weight
30
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
CE
= V
GE
600
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
200
A
T
J
= 125 C
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.5
V
Features
International standard package
SOT-227B
Aluminium nitride solation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current, fast switching IGBT
Low V
for minimum on-state
conduction losses
MOS Gate turn-on drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
Space savings
High power density
Preliminary data sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGN80N30BD1 IGBT with Diode(VCES為300V，VCE(sat)為2.4V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGP30N60C2 HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR24N60C Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGN50N60BD2 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60 功能描述:IGBT 晶體管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*