參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK80N60A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： IXGK80N60A
1997 IXYS Corporation. All rights reserved.
96524A (5/97)
Features
International standard package
JEDEC TO-264 AA
Two mached dice connected in parallel
Low V
CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
Reduces assembly time and cost
High power density
G
C
E
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
TO-264 AA
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
t
fi
=
=
600 V
80 A
2.7 V
= 275 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C, limited by leads
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
= 10
Clamped inductive load, L = 30
μ
H
80
80
200
A
A
A
I
= 100
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
T
C
= 25
°
C
500
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque (M4)
0.9/6
Nm/lb.in.
10
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
300
°
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 500
μ
A, V
GE
= 0 V
= 500
μ
A, V
CE
= V
GE
600
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
400
μ
A
mA
2
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.7
V
IXGK80N60A
HiPerFAST
TM
IGBT
Preliminary data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGN200N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGN50N60BD2 HiPerFAST IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶快速恢復(fù)外延型二極管))
IXGN50N60B HiPerFASTTM IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK82N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK82N120B3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGL200N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 150Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGL50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGL75N250 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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