參數(shù)資料
型號： IXGH40N30S
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 60 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： IXGH40N30S
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 40N30
IXGH 40N30S IXGH 40N30AS
IXGH 40N30A
IXGH 40N30B
IXGH 40N30BS
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
4.7
2.2
2.2
5.3
2.54
2.6
.185
.087
.059
.209
.102
.098
1.0
1.65
2.87
1.4
2.13
3.12
.040
.065
.113
.055
.084
.123
.4
.8
.016
.819
.610
.031
.845
.640
20.80
15.75
21.46
16.26
e
L
L1
P
Q
5.20
19.81
5.72
20.32
4.50
0.205 0.225
.780
.800
.177
3.55
5.89
3.65
6.40
.140
0.232 0.252
.144
R
S
4.32
6.15 BSC
5.49
.170
242 BSC
.216
1 2 3
TO-247 SMD Outline
1 - Gate
2 - Drain (collector)
3 - Source (Emitter
4 - Drain (collector
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
4.83
2.29
1.91
5.21
2.54
2.16
.190
.090
.075
.205
.100
.085
b
b1
1.14
1.19
1.40
2.13
.045
.075
.055
.084
C
D
0.61
20.80
0.80
21.34
.024
.819
.031
.840
E
e 5.45 BSC
15.75
16.13
.620
.635
.215 BSC
L
L1
L2
L3
L4
P
Q
R
S 6.15 BSC .242 BSC
4.90
2.70
2.10
0.00
1.90
5.10
2.90
2.30
0.10
2.10
.193
.106
.083
.000
.075
.201
.114
.091
.004
.083
3.55
5.59
4.32
3.65
6.20
4.83
.140
.220
.170
.144
.244
.190
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
20
28
S
C
ies
C
oes
C
res
2500
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
210
pF
60
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
145
170
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
23
35
nC
50
75
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
25
ns
40
ns
40N30
40N30A
40N30B
40N30
40N30A
40N30B
40N30
40N30A
40N30B
170
100
75
230
120
75
1.6
0.75
0.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
t
fi
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
25
ns
40
ns
0.3
mJ
40N30
40N30A
40N30B
40N30
40N30A
40N30B
40N30
40N30A
40N30B
250
150
90
350
220
130
3.3
1.6
0.6
500
300
180
600
330
230
4.8
2.4
1.4
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
t
fi
E
off
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= R
off
= 1.0
Switching times may
increase for V
CE
(Clamp)
> 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= R
off
= 1.0
Switching times may
increase for V
CE
(Clamp)
> 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
相關PDF資料
PDF描述
IXGH40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH40N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH41N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.6V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGH45N120 IGBT
IXGT45N120 IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH40N50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH40N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH40N60 功能描述:IGBT 75A 600V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH40N60A 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60A3D1 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V 1.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*