參數(shù)資料
型號： IXGH30B60BD1
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HiPerFASTTM IGBT with Diode
中文描述： HiPerFASTTM與IGBT的二極管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： IXGH30B60BD1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Fig. 7. Dependence of E
OFF
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 11. IGBT Transient Thermal
Resistance
IXGH 30N60BD1
IXGT 30N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N30 HiPerFAST IGBT
IXGH30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2 HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N120B3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 1200V IGBTs
IXGH30N120B3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N120BD1 功能描述:MOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH30N120C3H1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH30N120IH 功能描述:MOSFET 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*