參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH30B60BD1
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HiPerFASTTM IGBT with Diode
中文描述： HiPerFASTTM與IGBT的二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： IXGH30B60BD1
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6.Temperature Dependence of
BV
DSS
& V
GE(th)
IXGH 30N60BD1
IXGT 30N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N30 HiPerFAST IGBT
IXGH30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60B2 HiPerFAST IGBT
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參數(shù)描述
IXGH30N120B3 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:GenX3 1200V IGBTs
IXGH30N120B3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N120BD1 功能描述:MOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH30N120C3H1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH30N120IH 功能描述:MOSFET 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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