參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT30N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 586K
代理商： IXGT30N60B2
2003 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
2.5
5.0
V
I
CES
V
CE
= V
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
50
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= 24 A, V
GE
= 15 V
T
J
= 25
°
C
1.8
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
600
V
600
V
V
GES
V
GEM
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
I
C25
I
C110
I
CM
T
C
= 25
°
C (limited by leads)
T
C
= 110
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125
°
C, R
G
= 10
Clamped inductive load @
≤
600 V
T
C
= 25
°
C
70
A
30
A
150
A
SSOA
(RBSOA)
P
C
I
CM
= 60
A
190
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
M
d
Mounting torque (M3)
1.13/10Nm/lb.in.
Weight
TO-247 AD
TO-268 SMD
6
4
g
g
DS99122(11/03)
TO-268
(IXGT)
C (TAB)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
GCE
TO-247 AD
(IXGH)
E
C (TAB)
Features
z
Medium frequency IGBT
z
Square RBSOA
z
High current handling capability
z
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
z
PFC circuits
z
Uninterruptible power supplies (UPS)
z
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
z
AC motor speed control
z
DC servo and robot drives
z
DC choppers
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi
typ
= 600 V
= 70 A
< 1.8 V
= 82 ns
HiPerFAST
TM
IGBT
Optimized for 10-25 KHz hard
switching and up to 150 KHz
resonant switching
G
IXGH 30N60B2
IXGT 30N60B2
Advance Technical Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH30N60BD1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGT30N60BD1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N60B HiPerFASTTM IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT30N60BD1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGT30N60BU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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