參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN36N60
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 36 A, 600 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-227B, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： IXFN36N60
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 36N100
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
20
40
60
80
100
Gate Charge - nC
0
100
200
300
400
500
600
V
G
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 500 V
I
D
= 18 A
I
G
= 10 mA
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.001
0.010
0.100
1.000
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Crss
Coss
f = 100kHz
Ciss
30000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN38N100Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
IXFN39N90 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXFN40N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFK40N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFK43N60 HiPerFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IXFN38N100Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN38N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
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