參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN36N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 36 A, 600 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-227B, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： IXFN36N60
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 36N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 15 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
18
40
S
C
iss
C
oss
C
rss
9200
1200
300
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
41
55
110
30
ns
ns
ns
ns
V
GS
R
G
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
380
65
185
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.18
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
36
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
144
A
V
SD
1.3
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 VT
J
= 25
°
C
180
330
ns
ns
μ
C
T
J
=125
°
C
T
J
= 25
°
C
Q
RM
I
RM
2
8
A
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
E
F
4.09
14.91
4.29
15.11
0.161
0.587
0.169
0.595
G
H
30.12
38.00
30.30
38.23
1.186
1.496
1.193
1.505
J
K
11.68
8.92
12.22
9.60
0.460
0.351
0.481
0.378
L
M
0.76
12.60
0.84
12.85
0.030
0.496
0.033
0.506
N
O
25.15
1.98
25.42
2.13
0.990
0.078
1.001
0.084
P
Q
4.95
26.54
5.97
26.90
0.195
1.045
0.235
1.059
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
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PDF描述
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IXFK40N60 HiPerFET Power MOSFET
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