參數(shù)資料
型號(hào)： ISL8102EVAL1
廠商： Intersil Corporation
英文描述： Two-Phase Buck PWM Controller with High Current Integrated MOSFET Drivers
中文描述： 兩相降壓PWM控制器，帶有高電流集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 5/27頁(yè)
文件大?。?/td> 711K
代理商： ISL8102EVAL1
5
FN9247.0
October 19, 2005
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage, VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V to +6V
Supply Voltage, PVCC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V to +15V
Absolute Boot Voltage, V
BOOT
. . . . . . . .GND - 0.3V to GND + 36V
Phase Voltage, V
PHASE
. . . . . . . . GND - 0.3V to 15V (PVCC = 12)
GND - 8V (<400ns, 20μJ) to 24V (<200ns, V
BOOT-PHASE
= 12V)
Upper Gate Voltage, V
UGATE
. . . .V
PHASE
- 0.3V to V
BOOT
+ 0.3V
V
PHASE
- 3.5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to V
BOOT
+ 0.3V
Lower Gate Voltage, V
LGATE
. . . . . . . . GND - 0.3V to PVCC + 0.3V
GND - 5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to PVCC+ 0.3V
Input, Output, or I/O Voltage . . . . . . . . . GND - 0.3V to VCC + 0.3V
ESD Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Class I JEDEC STD
Recommended Operating Conditions
VCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±
5%
PVCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+5V to 12V
±
5%
Ambient Temperature (ISL8102CR, ISL8102CRZ) . . . . 0°C to 70°C
Ambient Temperature (ISL8102IR, ISL8102IRZ) . . . .-40°C to 85°C
Thermal Information
Thermal Resistance
QFN Package (Notes 1, 2). . . . . . . . . .
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .150°C
Maximum Storage Temperature Range. . . . . . . . . . .-65°C to 150°C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . .300°C
θ
JA
(°C/W)
35
θ
JC
(°C/W)
5
CAUTION: Stress above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational section of this specification is not implied.
NOTES:
1.
θ
JA
is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379.
2. For
θ
JC
, the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Specified.
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
BIAS SUPPLY AND INTERNAL OSCILLATOR
Input Bias Supply Current
I
VCC
; ENLL = high
-
15
20
mA
Gate Drive Bias Current
I
PVCC
; ENLL = high, all gate outputs open,
Fsw = 250kHz
-
1.5
3.0
mA
VCC POR (Power-On Reset) Threshold
VCC Rising
4.25
4.38
4.50
V
VCC Falling
3.75
3.88
4.00
V
PVCC POR (Power-On Reset) Threshold
PVCC Rising
4.25
4.38
4.50
V
PVCC Falling
3.75
3.88
4.00
V
Oscillator Ramp Amplitude (Note 3)
V
PP
-
1.50
-
V
Maximum Duty Cycle (Note 3)
-
66.6
-
%
CONTROL THRESHOLDS
ENLL Rising Threshold
-
0.66
-
V
ENLL Hysteresis
-
100
-
mV
COMP Shutdown Threshold
COMP Falling
0.25
0.35
0.5
V
REFERENCE AND DAC
System Accuracy (DAC = 0.6V, 0.9V)
DROOP connected to IREF
-0.8
-
0.8
%
System Accuracy (DAC = 1.2V, 1.50V)
DROOP connected to IREF
-0.5
-
0.5
%
DAC Input Low Voltage (REF0, REF1)
-
-
0.4
V
DAC Input High Voltage (REF0, REF1)
0.8
-
-
V
External Reference (Note 3)
0.6
-
1.75
V
OFS Sink Current Accuracy (Negative Offset)
R
OFS
= 30k
from OFS to VCC
R
OFS
= 10k
from OFS to GND
47.5
50.0
52.5
μ
A
OFS Source Current Accuracy (Positive Offset)
47.5
50.0
52.5
μ
A
ISL8102
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PDF描述
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