參數(shù)資料
型號(hào)： ISL6594ACBZ-T
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-TSSOP -40 to 85
中文描述： 3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 306K
代理商： ISL6594ACBZ-T
9
FN9157.1
May 6, 2005
ISL6594A, ISL6594B
Dual Flat No-Lead Plastic Package (DFN)
D
E
A
B
0.10 M C
e
FOR ODD TERMINAL/SIDE
0.415
C
SECTION "C-C"
NX (b)
(A1)
2X
C
0.15
0.15
2X
B
NX L
REF.
(Nd-1)Xe
5
A
C
(DATUM B)
D2
D2/2
E2
E2/2
TOP VIEW
7
BOTTOM VIEW
5
C
e
6
INDEX
AREA
8
A B
NX k
6
INDEX
AREA
(DATUM A)
1
2
N-1
N
NX b
8
NX b
NX L
0.200
TERMINAL TIP
L
C
C
C
A
SEATING
PLANE
0.08 C
A3
SIDE VIEW
0.10 C
L10.3x3
10 LEAD DUAL FLAT NO-LEAD PLASTIC PACKAGE
SYMBOL
MILLIMETERS
NOTES
MIN
NOMINAL
MAX
A
0.80
0.90
1.00
-
A1
-
-
0.05
-
A3
0.20 REF
-
b
0.18
0.23
0.28
5,8
D
3.00 BSC
-
D2
1.95
2.00
2.05
7,8
E
3.00 BSC
-
E2
1.55
1.60
1.65
7,8
e
0.50 BSC
-
k
0.25
-
-
-
L
0.30
0.35
0.40
8
N
10
2
Nd
5
3
Rev. 2 11/03
NOTES:
1. Dimensioning and tolerancing conform to ASME Y14.5-1994.
2. N is the number of terminals.
3. Nd refers to the number of terminals on D.
4. All dimensions are in millimeters. Angles are in degrees.
5. Dimension b applies to the metallized terminal and is measured
between 0.15mm and 0.30mm from the terminal tip.
6. The configuration of the pin #1 identifier is optional, but must be
located within the zone indicated. The pin #1 identifier may be
either a mold or mark feature.
7. Dimensions D2 and E2 are for the exposed pads which provide
improved electrical and thermal performance.
8. Nominal dimensions are provided to assist with PCB Land
Pattern Design efforts, see Intersil Technical Brief TB389.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL6594ACR Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
ISL6594ACR-T Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40 to 85
ISL6594ACRZ Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40 to 85
ISL6594ACRZ-T Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
ISL6594BCB Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ISL6594ACR 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
ISL6594ACR-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
ISL6594ACRZ 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
ISL6594ACRZ-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 系列:*
ISL6594ACRZ-TR5212 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intersil Corporation 功能描述:
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