FN6071.1 March 15, 2005 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP): GND TRANSISTOR COUNT: 528 PROCESS: Si Gate BiCMOS FIGURE 1" />
參數(shù)資料
型號： ISL43485IBZ-T
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 0K
描述： IC TXRX 1TX/1RX 3V RS-485 8-SOIC
標準包裝： 2,500
類型： 收發(fā)器
驅動器/接收器數(shù)： 1/1
規(guī)程： RS422，RS485
電源電壓： 3 V ~ 3.6 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
10
FN6071.1
March 15, 2005
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
528
PROCESS:
Si Gate BiCMOS
FIGURE 12. DRIVER PROPAGATION DELAY vs
TEMPERATURE
FIGURE 13. DRIVER SKEW vs TEMPERATURE
FIGURE 14. DRIVER AND RECEIVER WAVEFORMS,
LOW TO HIGH
FIGURE 15. DRIVER AND RECEIVER WAVEFORMS,
HIGH TO LOW
Typical Performance Curves VCC = 3.3V, TA = 25°C; Unless Otherwise Specified (Continued)
-40
0
50
85
TEMPERATURE (°C)
-25
25
75
PROP
AGA
T
ION
DELA
Y
(n
s)
8
9
10
11
12
13
14
15
16
tPHLY
tPHLZ
tPLHZ
tPHLY
tPLHY
RDIFF = 54
-40
0
50
85
TEMPERATURE (°C)
SKE
W
(ns)
-25
25
75
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
|tPLHY - tPHLZ|
|tPHLY - tPLHZ|
|CROSSING PT. OF Y
↑ & Z↓ -
CROSSING PT. OF Y
↓ & Z↑|
RDIFF = 54
FIGURE 2A
TIME (10ns/DIV)
RECE
IV
ER
OUTPUT
(V
)
RDIFF = 54, CL = 15pF
0
5
DRIVER
OUTPUT
(V)
0
5
DRIV
E
R
INPUT
(V)
DI
RO
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
B/Z
A/Y
TIME (10ns/DIV)
RE
CEIVER
OUTPUT
(V
)
RDIFF = 54, CL = 15pF
0
5
DR
IV
ER
OUT
P
UT
(V
)
0
5
DRIVER
INP
U
T
(V
)
DI
RO
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
A/Y
B/Z
ISL43485
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