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參數(shù)資料
| 型號： | IS66WVD409616ALL-7010BLI |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1128K |
| 代理商： | IS66WVD409616ALL-7010BLI |
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IS66WVD409616ALL
Advanced Information
39
Rev.00A | January 2010
www.issi.com - SRAM@issi.com
Figure 24: Single Access Burst READ Operation – Fixed Latency
tCLK
Address
ADQ0-
ADQ15
ADV#
CE#
UB#/LB#
WAIT
WE#
OE#
CLK
VALID
ADDRESS
t
KW
VALID
ADDRESS
t
SP
t
HD
t
SP
t
HD
t
KOH
t
CEM
t
CSP
t
HD
t
HD
t
OE
t
OLZ
t
KW
Read Burst Identified
(WE#=HIGH)
VALID
OUTPUT
t
AA
t
WZ
HiZ
t
CO
t
AADV
t
HZ
t
SP
t
OHZ
Notes:
1. Non-default fixed latency BCR settings for single-access burst READ operation: Fixed Latency;
Latency code four (five clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
t
SP
t
HD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS80C32-20PL | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-20PQ | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-20W | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-24PL | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-24PLI | 8-BIT MICROCONTROLLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS66WVE1M16ALL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1.8V Core Async/Page PSRAM |
| IS66WVE1M16ALL-70BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1.8V Core Async/Page PSRAM |
| IS66WVE1M16BLL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:3.0V Core Async/Page PSRAM |
| IS66WVE1M16BLL-55BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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