參數(shù)資料
型號: IRLIZ34NPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 266K
代理商: IRLIZ34NPBF
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V , Drain-to-Source Voltage (V)
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T = 25°C
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I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
A
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
2.0V
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2
3
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
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T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 27A
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PDF描述
IRLL014 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
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IRLMS4502 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
IRLR120PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR3410PBF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
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參數(shù)描述
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