參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI630G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 6.2A）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： IRLI630G
IRLI630G
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLI640 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)
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IRLI640G 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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