參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI630G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 6.2A）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 337K
代理商： IRLI630G
IRLI630G
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
5.0V
5.0V
0
50
100
150
200
250
300
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
I
TOP 2.8A
3.9A
BOTTOM 6.2A
A
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PDF描述
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IRLI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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