參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI540NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： IRLI540NPBF
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
'2+3'+#
4
$
$:",-,3'!3
$
(3("''(5
!"3"5*!M
"''(5!5."E!E
!M!3M("
",5("
,)0"5(
/"(&'
,),6-(
"""
:""
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLI640GPBF HEXFET Power MOSFET
IRLIZ34NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLL014 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLMS2002PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRLMS4502 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLI610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRLI610ATU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI620 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)
IRLI620A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLI620ATU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*