參數(shù)資料
型號: IRLBA1304P
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: HEXFET功率MOSFET(馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 95K
代理商: IRLBA1304P
IRLBA1304/P
8
www.irf.com
Super_220 Package Outline
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 6/99
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLBL1304 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AA
IRLC1304 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP
IRLC9024N TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | CHIP
IRLF110 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRLF130 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLBA1304PPBF 功能描述:MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLBA3803 功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLBA3803/P 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
IRLBA3803P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLBA3803PPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 179A, 5 MOHM, 93.3 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-273AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 179A 3PIN TO-273AA - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 179A SUPER 220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, 179A, SUPER 220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, 179A, SUPER 220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:179A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 179A, SUPER-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra