參數(shù)資料
型號： IRLBA1304P
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IRLBA1304P
IRLBA1304/P
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
3
6
9
12
15
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
110A
V
= 8V
DS
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
10
100
1000
0.4
0.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
10
100
D
1000
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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