參數(shù)資料
型號(hào)： IRL2703
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 277K
代理商： IRL2703
IRL2703
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
–––
0.030 –––
–––
––– 0.040
–––
––– 0.060
1.0
–––
6.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.5
–––
140
–––
12
–––
20
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 14A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 14A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 15V
I
D
= 14A
R
G
= 12
,
V
GS
=4.5V
R
D
= 1.0
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
25
250
100
-100
15
4.6
9.3
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
450
210
110
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
S
D
G
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
ns
μA
nH
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse RecoveryCharge
t
on
Forward Turn-On Time
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
V
DD
= 15V, starting T
J
= 25°C, L = 570μH
R
G
= 25
, I
AS
= 14A. (See Figure 12)
I
SD
≤
14A, di/dt
≤
140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 14A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 14A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
65
140
1.3
97
210
V
ns
nC
A
–––
–––
96
–––
–––
24
S
D
G
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3803L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
IRL3803S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
IRL3803 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
IRL510S RES 39R 1/10W 5% 0805 TF
IRL540NL HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL2703HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRL2703PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2703S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL2703SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2703STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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