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參數(shù)資料
| 型號： | IRHN8150 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| 中文描述： | 晶體管N溝道 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 516K |
| 代理商： | IRHN8150 |
Figure 27. – Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature.
Pre-Radiation
IRHN7150, IRHN8150 Devices
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Figure 26. – Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Dura ion.
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
To Order
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Index
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA7160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7264SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.110ohm, Id=34A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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