參數(shù)資料
型號： IRHN3150
廠商： International Rectifier
英文描述： RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
中文描述： 抗輻射功率MOSFET表面貼裝系統(tǒng)（SMD - 1）
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： IRHN3150
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHN7150, JANSR2N7268U
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 30b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 30a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 29c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 29b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 29a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHN4150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRHN7150 Female Disconnect Solderless Terminal; Wire Size (AWG):12-10; Tab Width:0.250"; Insulator Color:Yellow; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
IRHN7450 HEXFET TRANSISTOR
IRHN8450 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
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參數(shù)描述
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