參數(shù)資料
型號(hào)： IRGIB10B60KD1
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 386K
代理商： IRGIB10B60KD1
IRGIB10B60KD1
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
175°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
4
8
12
16
20
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Pt
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
10 μs
100 μs
1ms
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B120UD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120U-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGIB10B60KD1P 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB10B60KD1PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB15B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB15B60KD1P 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB6B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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