參數(shù)資料
型號(hào)： IRGI4065PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： IRGI4065PBF
4
www.irf.com
Fig 7. Maximum Collector Current vs. Case Temperature
Fig 8. Typical Repetitive Peak Current vs. Case Temperature
Fig 10. Typical E
PULSE
vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 9. Typical E
PULSE
vs. Collector Current
Fig 11. E
PULSE
vs. Temperature
Fig 12. Forrward Bias Safe Operating Area
25
50
75
100
125
150
TJ, Temperature (oC)
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
VCC = 240V
L = 220nH
t = 1μs half sine
C= 0.4μF
C= 0.3μF
C= 0.2μF
150 160 170 180 190 200 210 220 230 240
VCE, Collector-to-Emitter Voltage (V)
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
160
170
180
190
200
210
220
230
IC, Peak Collector Current (A)
400
500
600
700
800
900
1000
E
VCC = 240V
L = 220nH
C = variable
100°C
25°C
0
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
0
5
10
15
20
25
30
IC
1
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY VCE(on)
10μsec
100μsec
25
50
75
100
125
150
Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
R
ton= 2μs
Duty cycle <= 0.10
Half Sine Wave
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGI4085PBF PDP TRENCH IGBT
IRGIB10B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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IRGIB10B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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