參數(shù)資料
型號： IRGI4065PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： IRGI4065PBF
2
www.irf.com
Half sine wave with duty cycle = 0.10, ton=2μsec.
R
θ
is measured at
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)ECS
Emitter-to-Collector Breakdown Voltage
Β
V
CES
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Min.
300
18
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
Typ.
–––
–––
0.23
1.05
1.25
1.75
2.25
2.75
–––
-12
2.0
50
–––
–––
26
62
20
–––
Max. Units
–––
–––
–––
–––
1.45
–––
–––
–––
5.0
–––
25
–––
100
-100
–––
–––
–––
–––
V
V
V/°C
V
V
V
V
V
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
I
CES
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Collector-to-Emitter Leakage Current
mV/°C
μA
I
GES
Gate-to-Emitter Forward Leakage
Gate-to-Emitter Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Collector Charge
Shoot Through Blocking Time
nA
g
fe
Q
g
Q
gc
t
st
S
nC
ns
E
PULSE
Energy per Pulse
μJ
C
iss
C
oss
C
rss
L
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Internal Collector Inductance
–––
–––
–––
–––
2200
110
55
5.0
–––
–––
–––
–––
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
E
Internal Emitter Inductance
–––
13
–––
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A, T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
CE
= 0.5mA
Static Collector-to-Emitter Voltage
V
CE(on)
–––
875
–––
V
GE
= 30V
V
GE
= -30V
V
CE
= 25V, I
CE
= 25A
V
CE
= 200V, I
C
= 25A, V
GE
= 15V
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V, T
J
= 150°C
–––
975
–––
V
CC
= 240V, V
GE
= 15V, R
G
= 5.1
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 25°C
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 100°C
= 1.0MHz, See Fig.13
Conditions
V
GE
= 0V, I
CE
= 1 mA
V
GE
= 0V, I
CE
= 1 A
Reference to 25°C, I
CE
= 1mA
V
GE
= 15V, I
CE
= 15A
V
GE
= 15V, I
CE
= 28A
V
GE
= 15V, I
CE
= 70A
V
CE
= 30V
V
GE
= 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGI4085PBF PDP TRENCH IGBT
IRGIB10B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGI4085-111PBF 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGI4085PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 330V 28A 3PIN TO-220 - Bulk
IRGI4086PBF 功能描述:IGBT 晶體管 300V Plasma Display Panel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGI4090PBF 功能描述:IGBT 晶體管 300V Plasma Display Panel Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB10B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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