參數(shù)資料
型號(hào)： IRGI4065PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 331K
代理商： IRGI4065PBF
www.irf.com
3
Fig 1. Typical Output Characteristics @ 25°C
Fig 3. Typical Output Characteristics @ 125°C
Fig 4. Typical Output Characteristics @ 150°C
Fig 2. Typical Output Characteristics @ 75°C
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
Fig 6. V
CE(ON)
vs. Gate Voltage
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
240
280
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
240
280
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
240
280
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
VC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC = 25A
0
5
10
15
20
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0
100
200
300
400
500
600
IC
TJ = 25°C
TJ = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGI4085PBF PDP TRENCH IGBT
IRGIB10B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGI4085PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 330V 28A 3PIN TO-220 - Bulk
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IRGIB10B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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