參數(shù)資料
型號： IRGB4B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 306K
代理商： IRGB4B60K
IRGB/S/SL4B60K
6
www.irf.com
Fig. 13
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 12
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V,
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4.0A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=2.5mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4.0A; V
GE
= 15V
1
2
3
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5
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8
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IC (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EOFF
EON
0
100
200
300
400
500
RG (
)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EON
EOFF
0
2
4
6
8
10
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
100
200
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400
500
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB5B120KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB4B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4B60KD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB5B120KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB5B120KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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