參數(shù)資料
型號： IRGB4B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 306K
代理商： IRGB4B60K
IRGB/S/SL4B60K
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
Pt
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
2
4
6
8
10
12
IC
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
0
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
10ms
DC
1ms
100μs
相關PDF資料
PDF描述
IRGB5B120KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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