參數(shù)資料
型號： IRGB4059DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)DIODEINSULATED柵雙極晶體管與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： IRGB4059DPBF
IRGB4059DPbF
www.irf.com
9
Fig. WF1
- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 175°C using Fig. CT.4
Fig. WF2
- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 175°C using Fig. CT.4
@ T
J
= 150°C using CT.4
time (μS)
-100
0
100
200
300
400
500
11.90
12.10
12.30
Time (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
E
ON
Loss
TEST
90% test
t
10% test CURRE
5% V
CE
tr
-100
0
100
200
300
400
500
-0.40
0.60
1.60
Time(μs)
V
C
-2
0
2
4
6
8
10
E
OFF
Loss
5% V
CE
5% I
CE
90% I
CE
tf
WF.3- Typ. Reverse Recovery Waveform
@ T
J
= 175°C using CT.4
WF.4- Typ. Short Circuit Waveform
@ T
J
= 25°C using CT.3
-15
-10
-5
0
5
10
-0.05
0.25
I
R
Peak
I
RR
Q
RR
t
RR
10%
Peak
I
RR
-100
0
100
200
300
400
500
-4.00
1.00
6.00
time (μS)
V
C
-10
0
10
20
30
40
50
I
C
V
CE
I
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4064DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB440U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
IRGB4B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB5B120KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB4060DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4061DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4064DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4065PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-220 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220
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