參數(shù)資料
型號： IRGB4059DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)DIODEINSULATED柵雙極晶體管與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 297K
代理商： IRGB4059DPBF
IRGB4059DPbF
www.irf.com
5
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 175°C; L = 1mH; V
CE
= 400V, R
G
= 100
; V
GE
= 15V.
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 175°C; L = 1mH; V
CE
= 400V, I
CE
= 4A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 175°C; L=1mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 175°C; L=1mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 4A; V
GE
= 15V
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 175°C; I
F
= 4.0A
0
5
10
IC (A)
0
50
100
150
200
250
E
EOFF
EON
0
5
10
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
20
40
60
80
100
120
140
E
EON
EOFF
0
25
50
75
100
125
RG (
)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IR
0
5
10
IF (A)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IR
RG = 100
RG =10
RG =22
RG =47
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PDF描述
IRGB4064DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB440U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
IRGB4B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB5B120KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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IRGB4061DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4064DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4065PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-220 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220
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